D2009UK

Obrázky jsou pouze orientační
Číslo součásti
D2009UK
Kategorie
RF MOSFET Transistors
RoHS
Datasheet
Popis
RF MOSFET Transistors Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP

Specifikace

Kategorie
RF MOSFET Transistors
Configuration
Dual
Gain
10 dB
Id - Continuous Drain Current
2 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Mounting Style
SMD/SMT
Operating Frequency
1 GHz
Output Power
10 W
Package / Case
DQ
Pd - Power Dissipation
58 W
Product Type
RF MOSFET Transistors
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Type
RF Power MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
65 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V to 7 V

nejnovější recenze

Teşekkürler

Order received all the rules. Ощень мана quickly, to Yakutia 5 day, respect, not tupit. Packed in standard. Driver in the form of niche, soldering standards, not tested. And diode, he ordered. Orders joined fellow

Good material. Great seller, efficient and insurance. Ok

Packed medium, in transit could поврелиться. But since it's safe, work perfectly

Excellent transaction five star service thank you, we will do business again.

Související klíčová slova pro D200

  • D2009UK Integrovaný
  • D2009UK RoHS
  • D2009UK PDF Datasheet
  • D2009UK Datasheet
  • D2009UK Část
  • D2009UK Koupit
  • D2009UK Distributor
  • D2009UK PDF
  • D2009UK Součástka
  • D2009UK Integrované obvody
  • D2009UK Stáhnout PDF
  • D2009UK Stáhnout datasheet
  • D2009UK Zásobování
  • D2009UK Dodavatel
  • D2009UK Cena
  • D2009UK Datový list
  • D2009UK obraz
  • D2009UK Obrázek
  • D2009UK Inventář
  • D2009UK Skladem
  • D2009UK Originál
  • D2009UK Nejlevnější
  • D2009UK Vynikající
  • D2009UK Bezolovnaté
  • D2009UK Specifikace
  • D2009UK Hot nabídky
  • D2009UK Cena za přestávku
  • D2009UK Technická data