UF28100V

Obrázky jsou pouze orientační
Číslo součásti
UF28100V
Kategorie
RF MOSFET Transistors
RoHS
Datasheet
Popis
RF MOSFET Transistors 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

Specifikace

Kategorie
RF MOSFET Transistors
Configuration
Dual
Forward Transconductance - Min
1.5 s
Gain
10 dB
Id - Continuous Drain Current
12 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Operating Frequency
100 MHz to 500 MHz
Output Power
100 W
Package / Case
744A-01
Packaging
Tray
Pd - Power Dissipation
250 W
Product Type
RF MOSFET Transistors
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Type
RF Power MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
65 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
6 V

nejnovější recenze

goods very well received very good quality

Thank You all fine, packed very well

Perfectly.

Everything is excellent! recommend this seller!

Works. Find the price of this product is very good

Související klíčová slova pro UF28

  • UF28100V Integrovaný
  • UF28100V RoHS
  • UF28100V PDF Datasheet
  • UF28100V Datasheet
  • UF28100V Část
  • UF28100V Koupit
  • UF28100V Distributor
  • UF28100V PDF
  • UF28100V Součástka
  • UF28100V Integrované obvody
  • UF28100V Stáhnout PDF
  • UF28100V Stáhnout datasheet
  • UF28100V Zásobování
  • UF28100V Dodavatel
  • UF28100V Cena
  • UF28100V Datový list
  • UF28100V obraz
  • UF28100V Obrázek
  • UF28100V Inventář
  • UF28100V Skladem
  • UF28100V Originál
  • UF28100V Nejlevnější
  • UF28100V Vynikající
  • UF28100V Bezolovnaté
  • UF28100V Specifikace
  • UF28100V Hot nabídky
  • UF28100V Cena za přestávku
  • UF28100V Technická data