RU1C001ZPTL

Obrázky jsou pouze orientační
Číslo součásti
RU1C001ZPTL
Kategorie
MOSFET
RoHS
Datasheet
Popis
MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET

Specifikace

Kategorie
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
137 ns
Forward Transconductance - Min
120 ms
Id - Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
SOT-323FL-3
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
150 mW
Product Type
MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance
2.5 Ohms
Rise Time
62 ns
Series
RU1C001ZP
Technology
SI
Transistor Polarity
P-Channel
Transistor Type
1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
325 ns
Typical Turn-On Delay Time
46 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs - Gate-Source Voltage
10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V

nejnovější recenze

Thanks for your feedback!

Looks good

Good material. Great seller, efficient and insurance. Ok

Shipping bіlshe mіsyatsya. Chi pratsyuyut not perevіryav.

receiver the timers in good condition with No bent legs due too the good package. However i haven teste Them All but they seem to have No disaffects.

Související klíčová slova pro RU1C

  • RU1C001ZPTL Integrovaný
  • RU1C001ZPTL RoHS
  • RU1C001ZPTL PDF Datasheet
  • RU1C001ZPTL Datasheet
  • RU1C001ZPTL Část
  • RU1C001ZPTL Koupit
  • RU1C001ZPTL Distributor
  • RU1C001ZPTL PDF
  • RU1C001ZPTL Součástka
  • RU1C001ZPTL Integrované obvody
  • RU1C001ZPTL Stáhnout PDF
  • RU1C001ZPTL Stáhnout datasheet
  • RU1C001ZPTL Zásobování
  • RU1C001ZPTL Dodavatel
  • RU1C001ZPTL Cena
  • RU1C001ZPTL Datový list
  • RU1C001ZPTL obraz
  • RU1C001ZPTL Obrázek
  • RU1C001ZPTL Inventář
  • RU1C001ZPTL Skladem
  • RU1C001ZPTL Originál
  • RU1C001ZPTL Nejlevnější
  • RU1C001ZPTL Vynikající
  • RU1C001ZPTL Bezolovnaté
  • RU1C001ZPTL Specifikace
  • RU1C001ZPTL Hot nabídky
  • RU1C001ZPTL Cena za přestávku
  • RU1C001ZPTL Technická data