R6046ANZC8

Číslo součásti
R6046ANZC8
Kategorie
MOSFET
RoHS
Datasheet
Popis
MOSFET SILICON N-Ch MOS FET

Specifikace

Kategorie
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
100 ns
Id - Continuous Drain Current
46 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Packaging
Bulk
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
130 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
150 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
65 mOhms
Rise Time
130 ns
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
230 ns
Typical Turn-On Delay Time
60 ns
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V

nejnovější recenze

Shipped quickly, it was about 1 weeks in Krasnodar. Until the check operation, but to look at everything together

The goods are OK, thank you dealers.

Long Service and Russia!

Everything is fine!

Great product. Arrived ahead of time. Thank you

Související klíčová slova pro R604

  • R6046ANZC8 Integrovaný
  • R6046ANZC8 RoHS
  • R6046ANZC8 PDF Datasheet
  • R6046ANZC8 Datasheet
  • R6046ANZC8 Část
  • R6046ANZC8 Koupit
  • R6046ANZC8 Distributor
  • R6046ANZC8 PDF
  • R6046ANZC8 Součástka
  • R6046ANZC8 Integrované obvody
  • R6046ANZC8 Stáhnout PDF
  • R6046ANZC8 Stáhnout datasheet
  • R6046ANZC8 Zásobování
  • R6046ANZC8 Dodavatel
  • R6046ANZC8 Cena
  • R6046ANZC8 Datový list
  • R6046ANZC8 obraz
  • R6046ANZC8 Obrázek
  • R6046ANZC8 Inventář
  • R6046ANZC8 Skladem
  • R6046ANZC8 Originál
  • R6046ANZC8 Nejlevnější
  • R6046ANZC8 Vynikající
  • R6046ANZC8 Bezolovnaté
  • R6046ANZC8 Specifikace
  • R6046ANZC8 Hot nabídky
  • R6046ANZC8 Cena za přestávku
  • R6046ANZC8 Technická data