IGB10N60TATMA1

Obrázky jsou pouze orientační
Číslo součásti
IGB10N60TATMA1
Kategorie
IGBT Transistors
RoHS
Datasheet
Popis
IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech

Specifikace

Kategorie
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
24 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-263-3
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
110 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
TRENCHSTOP IGBT
Technology
SI
Tradename
TRENCHSTOP
Unit Weight

nejnovější recenze

Teşekkürler

Thank You all fine, packed very well

goods delivered was отслеживался very fast (башкирию 7 days) excellent дошло seller in excellent condition all recommend!!!!

the photo in comparison with cheap. Delivery fast

Everything is fine!

Související klíčová slova pro IGB1

  • IGB10N60TATMA1 Integrovaný
  • IGB10N60TATMA1 RoHS
  • IGB10N60TATMA1 PDF Datasheet
  • IGB10N60TATMA1 Datasheet
  • IGB10N60TATMA1 Část
  • IGB10N60TATMA1 Koupit
  • IGB10N60TATMA1 Distributor
  • IGB10N60TATMA1 PDF
  • IGB10N60TATMA1 Součástka
  • IGB10N60TATMA1 Integrované obvody
  • IGB10N60TATMA1 Stáhnout PDF
  • IGB10N60TATMA1 Stáhnout datasheet
  • IGB10N60TATMA1 Zásobování
  • IGB10N60TATMA1 Dodavatel
  • IGB10N60TATMA1 Cena
  • IGB10N60TATMA1 Datový list
  • IGB10N60TATMA1 obraz
  • IGB10N60TATMA1 Obrázek
  • IGB10N60TATMA1 Inventář
  • IGB10N60TATMA1 Skladem
  • IGB10N60TATMA1 Originál
  • IGB10N60TATMA1 Nejlevnější
  • IGB10N60TATMA1 Vynikající
  • IGB10N60TATMA1 Bezolovnaté
  • IGB10N60TATMA1 Specifikace
  • IGB10N60TATMA1 Hot nabídky
  • IGB10N60TATMA1 Cena za přestávku
  • IGB10N60TATMA1 Technická data