IGB30N60T

Obrázky jsou pouze orientační
Číslo součásti
IGB30N60T
Kategorie
IGBT Transistors
RoHS
Datasheet
Popis
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A

Specifikace

Kategorie
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
60 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Height
4.4 mm
Length
10 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-263-3
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
187 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
TRENCHSTOP IGBT
Technology
SI
Tradename
TRENCHSTOP
Unit Weight
Width
9.25 mm

nejnovější recenze

Quickly came to CET, all in one package. Look at the rules

Thank You all fine, packed very well

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

fast delivery

Long Service and Russia!

Lidé, kteří si prohlížejí IGB30N60T pak koupil

Související klíčová slova pro IGB3

  • IGB30N60T Integrovaný
  • IGB30N60T RoHS
  • IGB30N60T PDF Datasheet
  • IGB30N60T Datasheet
  • IGB30N60T Část
  • IGB30N60T Koupit
  • IGB30N60T Distributor
  • IGB30N60T PDF
  • IGB30N60T Součástka
  • IGB30N60T Integrované obvody
  • IGB30N60T Stáhnout PDF
  • IGB30N60T Stáhnout datasheet
  • IGB30N60T Zásobování
  • IGB30N60T Dodavatel
  • IGB30N60T Cena
  • IGB30N60T Datový list
  • IGB30N60T obraz
  • IGB30N60T Obrázek
  • IGB30N60T Inventář
  • IGB30N60T Skladem
  • IGB30N60T Originál
  • IGB30N60T Nejlevnější
  • IGB30N60T Vynikající
  • IGB30N60T Bezolovnaté
  • IGB30N60T Specifikace
  • IGB30N60T Hot nabídky
  • IGB30N60T Cena za přestávku
  • IGB30N60T Technická data